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TPWR8004PL,L1Q相关型号
Toshiba东芝热销型号

  • TLP3556(TP1,F)

    MOSFET输出光电耦合器 Photorelay 1A 100V 2500Vrms 200pF 3mA

  • TLP3553(TP1,F)

    MOSFET输出光电耦合器 Photorelay 3A 20V 2500Vrms 300pF 3mA

  • TLP171D(TP,F

    MOSFET输出光电耦合器 Photorelay 0.2A 200V 1500Vrms 90pF 0.2mA

  • TLP5702(D4-TP4,E

    逻辑输出光电耦合器 Photocoupler 30V 2.5A 5000Vrms

  • TMPM037FWUG(KY,JZ)

    ARM微控制器 - MCU 32-bit ARM Cortex-M0 128KB ROM, 16KB RAM

  • TLP240J(TP1,F

    MOSFET输出光电耦合器 Photorelay MOSFET Output

  • TLP104(TPR,E)

    高速光耦合器 Photo-IC -0.5 to 30V 3750 Vrms 400ns

  • TLP5751(TP,E

    逻辑输出光电耦合器 Photocoupler, Photo IC Output

图片仅供参考，请参考产品描述

  • TPWR8004PL,L1Q

  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列U-MOSIX-H
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）40V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）150A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）0.8 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）103nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）9600pF @ 20V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）1W（Ta），170W（Tc）
  • 工作温度175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DSOP Advance
  • 封装/外壳8-PowerVDFN

其它信息

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