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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)相关型号
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Toshiba东芝热销型号
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图片仅供参考,请参考产品描述

  • TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

  • 制造商:Toshiba
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 制造商:Toshiba
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-252-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:P-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:60 V
  • Id-连续漏极电流:8 A
  • Rds On-漏源导通电阻:104 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:10 V
  • Qg-栅极电荷:19 nC
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:27 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:2.3 mm
  • 长度:6.5 mm
  • 系列:TJ8S06M3L
  • 晶体管类型:1 P-Channel
  • 宽度:5.5 mm
  • 商标:Toshiba
  • 下降时间:34 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:6 ns
  • 工厂包装数量:2000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:140 ns
  • 典型接通延迟时间:14 ns
  • 单位重量:340 mg

其它信息

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