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Toshiba东芝热销型号

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图片仅供参考，请参考产品描述

  • MT3S113P(TE12L,F)

  • 制造商：Toshiba
  • 批号：19+
  • 描述：射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Toshiba
  • 产品种类:射频(RF)双极晶体管
  • RoHS:是
  • 系列:MT3S113P
  • 晶体管类型:Bipolar
  • 技术:SiGe
  • 晶体管极性:NPN
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:200
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:5.3 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:0.6 V
  • 集电极连续电流:100 mA
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 配置:Single
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SC-62-3
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 工作频率:7.7 GHz
  • 商标:Toshiba
  • 最大直流电集电极电流:100 mA
  • Pd-功率耗散:1.6 W
  • 产品类型:RF Bipolar Transistors
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:Transistors
  • 单位重量:50 mg

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