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SSM6N48FU,RF(D相关型号

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图片仅供参考，请参考产品描述

  • SSM6N48FU,RF(D

  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • FET 类型2 N-通道（双）
  • FET 功能逻辑电平栅极，2.5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100mA（Ta）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）3.2 欧姆 @ 10mA，4V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 100µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）-
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）15.1pF @ 3V
  • 功率 - 最大值300mW
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装US6

其它信息

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