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图片仅供参考,请参考产品描述

  • SSM6N16FUTE85LF

  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型2 N-通道(双)
  • FET 功能标准
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)100mA
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)3 欧姆 @ 10mA,4V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 100µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)-
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)9.3pF @ 3V
  • 功率 - 最大值200mW
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装US6

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